第八十五章斷供最新章節，第1頁_重生1984：從開發漢卡開始免費全文閱讀

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東京應化、JSR、住友化學、富士膠片占據光刻膠市場70%以上的市場份額。

光刻膠一旦斷供，晶圓廠就得停工。

無疆微電子公司總不能把希望一直寄托于RB人的善良和好心，認為他們不會斷供吧。

光刻膠的市場并不大，10億美元不到，但極其重要。

前世，國内無論是光刻機，還是光刻膠，都被國外拿捏。

光刻膠的生産難度也非常高，不單單是其配方，最難攻破的還是工藝，其中，曝光設備和感光檢測設備遠遠落後于國外。

另外，RB還在光引發劑、樹脂等光刻膠重要原材料領域，同樣具備較高的壟斷程度。

所以趙烨現在要研制光刻膠，既要研究光刻膠配方與工藝，還要投入資金研究和生産光引發劑、樹脂等光刻膠重要原材料，投資比較大，但是投資再大也要去做。趙烨不去做的話，國内就沒有人去做了。

試想，一旦光刻膠斷供，晶圓廠停工，那趙烨在無疆微電子公司投資的那麼多的人力和财力，都等于是浪費了。

趙烨相信，以美國為首的西方國家，絕對能夠做得出來。

所以，自力更生，才是王道。

黃昆、秦國剛、王守武、王圩等院士們很熱衷于幫助趙烨建立「無疆光刻膠有限公司」。

于是，趙烨就把這件事托付給他們負責，自己最後出錢就是了。

……

光刻膠占據電子材料至高點，對于國家的發展至關重要。

上遊原材料且不提，主要是中遊制造，主要分為：PCB光刻膠、LCD光刻膠、半導體光刻膠三種，分别對應着下遊應用：PCB産業、面闆産業、半導體産業。最後則是電子産品應用終端，比如手機、家電、航空航天、汽車電子等等。

不難看出，發展光刻膠對于一個國家科研、工業産業等發展至關重要。

前世，半導體光刻膠按照曝光波長不同可分為g線（436nm）、i線（365nm）、KrF（248nm）、ArF（193nm）以及新興起的EUV光刻膠5大類，高端光刻膠指KrF、ArF和EUV光刻膠，等級越往上其極限分辨率越高，同一面積的矽晶圓布線密度越大，性能越好。

當前的半導體制程還不那麼先進，主流工藝在800-1200nm之間，因此波長436nm的光刻光源就夠用。

中國在70年代就開始研究光刻膠了。

光刻膠巨頭JSR，也隻是在1979年進入光刻膠領域。但JSR的半導體光刻膠逐漸全面覆蓋從g線到EUV。

而中國直接在八十年代放棄光刻膠的研發了。

不過這也怪不得當時的決定，處處落後，各方面都被國外壟斷了，想要發展光刻膠，簡直難如登天。

但如今，龍芯設計公司、無疆微電子公司和無疆公司實現了從芯片設計到芯片生産以及芯片下遊應用終端的産業産閉環。這讓國産光刻膠迎來曆史性機遇，也為研發光刻膠提供了動力。為了不被卡脖子，自主研發光刻膠是必然的選擇。

三周之後，在黃昆、秦國剛、王守武、王圩等人的幫助下，國家開始行動起來，探究讨論，調集資源，組建了無疆光刻膠有限公司。

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